蚀刻(etching)是使用化学反应或物理撞击作用而移除部分材料的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。
蚀刻技术是利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻覆盖的部分,而达到蚀刻的目的,这种蚀刻方式也就是所谓的湿式蚀刻。
蚀刻是一种利用化学强酸腐蚀、机械抛光或电化学电解对物体表面进行处理的技术。 除了增强美感之外,它还增加了对象的附加值。 从传统的金属加工到高科技半导体制造,都在蚀刻技术的应用范围之内。
2024年8月7日 · 蚀刻技术的工艺流程复杂而精细,一般包括以下步骤: 材料准备:选择适合蚀刻的材料,并进行清洗和表面处理,确保表面干净无杂质。 掩膜图案制备:通过光刻技术或其他方法,在材料表面制备出所需的掩膜图案,以保护不需要蚀刻的区域。
金属蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。金属蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。金属蚀刻是由一系列复杂的化学过程组成,不同的腐蚀剂对不同金属材料具有不同的腐蚀性能和强度。
2024年11月1日 · 金属蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。金属蚀刻技术可以分为湿蚀刻和干蚀刻两类. 以下是金属蚀刻的一般工艺流程: 表面预处理: 对金属材料进行除油、水洗、浸蚀、水洗、干燥等处理,以去除表面的油污和氧化膜,确保后续工序的 ...
化学蚀刻主要原理是利用化学物质所产生氧化还原反应特性,让指定露出之金属材料表面接触化学溶剂,精确、有选择比的将该区域溶解腐蚀、蚀刻出所需形状和细节;物理蚀刻原理为 将化学成分离子化,加速离子撞击表面,造成蚀刻现象。
2024年5月20日 · 蚀刻(Etching)是在半导体制造过程中的关键步骤之一,主要用化学或物理方法去除基片上特定区域的材料,形成所需的精细电路图案。 在Bump工艺中,蚀刻步骤对于电路连接的质量和整体可靠性至关重要。
找出湿蚀刻和干蚀刻之间的区别是选择正确技术的第一步。这里有一份完整的指南,帮助您找到它们。
化学反应:蚀刻过程使用化学溶液或气体,这些化学品能够与被处理材料发生反应以去除表面的部分物质。常用的蚀刻剂包括氢氟酸、氯化铁等。 掩膜:在蚀刻之前,需要先对待加工的材料进行光刻或其他掩膜工艺。通过掩膜,在需要保留的区域形成一层保护膜 ...